Перегляд за автором "Мрихін, І.О."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів 
    Круковський, С.І.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Методом рідинно-фазної епітаксії вирощено подвійні гетеропереходи p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP і з’ясовано взаємозв’язок між технологічними режимами вирощування та їх фізичними властивостями. Показано, що використання цинку як ...
  • Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP 
    Круковський, C.I.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мрихін, І.О.; Михащук, Ю.С. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP методом РФЕ на їх фотоелектричні властивост і. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, ...